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ARTICLESST501F-A-250A电动机保护器生产商
ST501F-A-250A电动机保护器生产商
性能特点:
短路保护
系统频率
零序电流保护
晃电保护
统计电动机的累计运行时间
断相保护
外部故障延时保护
功率
4路继电器输出
统计功能
行业新闻:
此外,随着感测器与巨量资料分析普及,对于嵌入式处理器运算能力的要求也大幅提升。为此,ARM致力于以合理的价格,在物联网应用领域中,为客户提供更智慧、更相容且更安全可靠的晶片处理器。现阶段ARM在微控制器市场中拥有25%的*、在连网晶片市场中则有75%的*,并期望在5年后在智慧连网领域站稳超过*半的市占。另*方面,对于车联网市场,ARM认为未来的汽车将等同于*部超级电脑,市场需求将主要以安全驾驶、节省燃料开销以及即时资讯反应为目标。ARMv8系列晶片正是锁定此机会,将针对*驾驶辅助系统(ADAS)与汽车安全性,满足车联网市场的需求。
虚拟实境(VR)是近来广为被讨论的议题*。ARM多媒体处理器事业部区域行销蔡武男Alan Tsai指出,打造拟实境使用者体验的三大关键重点为调整焦距、提*解析度以及降低延迟性,而ARM的Mali GPU就是实现VR体验的佳助力。同时ARM也努力与生态系统合作夥伴共同创造更多的虚拟实境创新,并终达到人类日常生活“VR *”的目标。
ARM Mali GPU目前全*已有7.5亿颗晶片的出货量,其自适应可调式材质压缩(ASTC)以及ARM帧缓冲压缩(AFBC),大幅缩减系统频宽需求,并可跨多个核心进行完整的效能调整,提供*画质解析度以及节能效果。此外,Mali亦支援的Khronos Vulkan API,可减少延迟并提升整体效能。
目前市面上装有ARM Mali GPU的装置就是Samsung 与 Oculus 合作开发的Samsung Gear VR 头戴式装置。另外,去年12月ARM旗下Geomerics的Enlighten全域照明技术,也开放授权*(Perfect World),为开放*游戏呈现出大规模的动态照明效果。
参考标准:
GB/T17626.2—1998静电放电抗干扰试验
GB 14048.5 控制电路电器和开关元件机电式控制电路电器
GB14048.4—2003低压开关设备和控制设备 机电式接触器和电动机起动器
GB14048.6—1998低压开关设备和控制设备 接触器和电动机起动器 第2部分:交流半导体电动机保护器和起动器
JB/T10736-2007 交流电动机保护器
项目业绩:
博天化工集团
天津梅江会展中心
天津地铁
天津电力城西供电局
军粮城示范镇
天津青少年活动中心
*简介:
公司位于南京市大东区蒲裕路22号,占地面积80000平方米。公司的主营产品包括低压隔离开关、隔离开关熔断器组、自动转换开关电器等低压电器产品、低压成套配电箱、电气火灾监控报警系列产品和智能仪表。产品广泛应用于石油、化工、冶金、电力、建筑等行业的低压供、配电系统,部分产品出口国外,企业产品已逐步走向*市场。经过多年的发展,公司生产自成体系,能保证零部件和产成品的质量和可靠性能。公司拥有*的技术研发团队、专业化的研发实验室、自动化的生产线、*科技的检测仪器、现代化仓储管理技术、*的服务体系等,对产品从采购、生产、检验、销售的每*道工序进行层层把关,从根本上保证了产品的优异质量和可靠性能。南京斯沃电气有限公司成立于1999年,是集产品研发、设计、生产和销售于*体的*新技术民营企业。公司生产的系列低压电器产品严格执行IEC标准和*标准,产品全面通过*3C强制认证,拥有43项,产品的技术性能均达到*水平,现已获得*近2000家设计院所的肯定及设计选型。
技术指标:
1、测试范围
1.1 A、B、C三相电流:0-999A
1.2 漏电流:0-999mA
2、测量精度:1.5级(I≤Ie额定电流)
3、保护触电容量:常开AC250/6A,常闭AC250/6A
4、启动时间整定范围:1~99S,在启动时间内,对断相,漏电,短路,不平衡进行保护(默认值为10S)
5、堵转保护:当三相电流均达到或超过额定值的堵转电流时,动作时间≤0.5S(默认值为4Ie)
6、短路保护:任意*相电流均达到或超过8Ie电流时,动作时间≤0.2S
7、段相保护:任意*相断相时,动作时间≤2S
8、不平衡保护:当三相电流中任意二相电流差比值≥不平衡系数,动作时间≤2S(默认值为60%)
9、漏电保护:当电机漏电电流≥漏电电流额定值,动作时间≤0.2S(默认值为50mA)
10、过流保护:当电机的电流≥1.2Ie时,保护器按反时过流保护,动作时间见图*(默认值为1)
11、过压保护:工作电压≥过压电压额定值,动作时间≤5S
12、欠压保护:工作电压≤欠压电压额定值,动作时间≤10S
13、4~20mA电流输出精度:0.3%FS(20mA对应2倍的额定值)
南京市栖霞区迈皋桥创业园科技研发基地
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